2SC2710 / Toshiba
Добавить к сравнению
Транзистор биполярный
Корпус TO92 , Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 300 мВт, Напряжение КЭ максимальное 30 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 500 мВ, Ток коллектора 800 мА, Граничная рабочая частота 120 МГц, Коэффициент усиления по току, min 35 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 89 шт | — |
128,90
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
КорпусTO92
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность300 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное30 В
-
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии500 мВ
-
Ток коллектора800 мА
-
Граничная рабочая частота120 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min35
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon