Корпус TO251 , Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 1 Вт, Напряжение КЭ максимальное 50 В, Ток коллектора 5 А, Граничная рабочая частота 120 МГц, Коэффициент усиления по току, min 30 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| нет в наличии | — |
0,00
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|