2SC5048 / Toshiba
Добавить к сравнению
Транзистор биполярный
Корпус TO3PISO , Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 50 Вт, Напряжение КЭ максимальное 600 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 3 В, Ток коллектора 12 А, Граничная рабочая частота 1.7 МГц, Коэффициент усиления по току, min 4 , Примечание Power Bipolar Transistor, 12A I(C), 600V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 7 шт | — |
195,57
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
КорпусTO3PISO
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность50 Вт
-
Напряжение КЭ максимальное600 В
-
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии3 В
-
Ток коллектора12 А
-
Граничная рабочая частота1.7 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min4
-
ПримечаниеPower Bipolar Transistor, 12A I(C), 600V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin