2SC5150 / Toshiba
Добавить к сравнению
Транзистор биполярный
Корпус 216E3A , Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 50 Вт, Напряжение КЭ максимальное 700 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 3 В, Ток коллектора 10 А, Граничная рабочая частота 2 МГц, Коэффициент усиления по току, min 4 , Примечание Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 700V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 8 шт | — |
283,35
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
Корпус216E3A
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность50 Вт
-
Напряжение КЭ максимальное700 В
-
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии3 В
-
Ток коллектора10 А
-
Граничная рабочая частота2 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min4
-
ПримечаниеPower Bipolar Transistor, 10A I(C), 700V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin