2SC5387 / Toshiba
Добавить к сравнению
Транзистор биполярный
Корпус TO3PISO , Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 50 Вт, Напряжение КЭ максимальное 600 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 3 В, Ток коллектора 10 А, Граничная рабочая частота 1.7 МГц, Коэффициент усиления по току, min 4.3 , Примечание Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 600V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 41 шт | — |
235,67
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
КорпусTO3PISO
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность50 Вт
-
Напряжение КЭ максимальное600 В
-
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии3 В
-
Ток коллектора10 А
-
Граничная рабочая частота1.7 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min4.3
-
ПримечаниеPower Bipolar Transistor, 10A I(C), 600V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin