2SK2466 / Toshiba
Добавить к сравнению
Корпус 210R1B , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 30 А, Сопротивление открытого канала (мин) 70 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 70 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 70 мОм, Рассеиваемая мощность 40 Вт, Примечание Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 100V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 60 шт | — |
294,67
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
Корпус210R1B
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток100 В
-
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса30 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)70 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min70 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max70 мОм
-
Рассеиваемая мощность40 Вт
-
ПримечаниеPower Field-Effect Transistor, 30A I(D), 100V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET