Корпус TO3P , Конфигурация и полярность N , Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 3 А, Рассеиваемая мощность 125 Вт, Примечание Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
---|---|---|---|---|---|
670 шт | — |
1 123,99
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
|
|||||
|
|||||
|
|||||
Показать еще предложения
Скрыть предложения |
Данный товар получен от клиентов, которые купили его для целей производства, но он оказался не востребован. Возможно отсутствие ГТД и страны происхождения.