2SK3767 / Toshiba
Добавить к сравнению
Корпус TO220 , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 600 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 2 А, Сопротивление открытого канала (мин) 4.5 Ом, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 4.5 Ом, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 4.5 Ом, Рассеиваемая мощность 25 Вт, Примечание MOSFET, N, 600V, TO-220SIS; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:2A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):4.5ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Transistor Case ;RoHS Compliant: Yes
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 6 шт | — |
284,11
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
КорпусTO220
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток600 В
-
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса2 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)4.5 Ом
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min4.5 Ом
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max4.5 Ом
-
Рассеиваемая мощность25 Вт
-
ПримечаниеMOSFET, N, 600V, TO-220SIS; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:2A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):4.5ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Transistor Case ;RoHS Compliant: Yes