2SK3878 / Toshiba
хит
Добавить к сравнению
Тип упаковки-Tube (туба); Полевой транзистор, N-канальный, 900В 9А 150Вт (Recommended replacement:
Корпус —, Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 900 В, Ток стока номинальный при 25°C 9 А, Сопротивление открытого канала (мин) 1.3 Ом, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 1.3 Ом, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 1.3 Ом, Рассеиваемая мощность 150 Вт, Примечание Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 900V, 1.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 1867 шт | — |
338,93
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
Корпус—
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток900 В
-
Ток стока номинальный при 25°C9 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)1.3 Ом
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min1.3 Ом
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max1.3 Ом
-
Рассеиваемая мощность150 Вт
-
ПримечаниеPower Field-Effect Transistor, 9A I(D), 900V, 1.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
_500.jpeg)
![Для 2SK3878[STA1.E.S] Toshiba фотографии временно нет](/img/noimage.png "Запросить описание товара и добавление фотографии для 2SK3878[STA1.E.S] Toshiba вы можете на странице товара")