GT60M301 / Toshiba
Добавить к сравнению
Напряжение К-Э максимальное 900 , Ток коллектора максимальный при 25°C 60 А, Напряжение насыщения К-Э 3.4 В, Максимальная мощность 150 Вт, Тип входа стандартный , Примечание Insulated Gate Bipolar Transistor, 60A I(C), 900V V(BR)CES, N-Channel
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 66 шт | — |
3 662,23
от 62 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
Напряжение К-Э максимальное900
-
Ток коллектора максимальный при 25°C60 А
-
Напряжение насыщения К-Э3.4 В
-
Максимальная мощность150 Вт
-
Тип входастандартный
-
ПримечаниеInsulated Gate Bipolar Transistor, 60A I(C), 900V V(BR)CES, N-Channel