GT60N321 / Toshiba
Добавить к сравнению
Тип упаковки-Bulk (россыпь); Биполярный транзистор IGBT, 1000 В, 60 А, 170 Вт (Recommended replaceme
Корпус —, Напряжение К-Э максимальное 1000 , Ток коллектора максимальный при 25°C 60 А, Время включения 330 нс, Время выключения 700 нс, Максимальная мощность 170 Вт, Тип входа стандартный , Примечание Insulated Gate Bipolar Transistor, 60A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 90 шт | — |
922,92
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
Корпус—
-
Напряжение К-Э максимальное1000
-
Ток коллектора максимальный при 25°C60 А
-
Время включения330 нс
-
Время выключения700 нс
-
Максимальная мощность170 Вт
-
Тип входастандартный
-
ПримечаниеInsulated Gate Bipolar Transistor, 60A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel