MG100Q1JS40 / Toshiba
Добавить к сравнению
Напряжение К-Э максимальное 1200 , Ток коллектора максимальный при 25°C 100 А, Напряжение насыщения К-Э 4 В, Максимальная мощность 670 Вт, Тип входа стандартный , Примечание Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| нет в наличии | — |
0,00
от 0 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
Напряжение К-Э максимальное1200
-
Ток коллектора максимальный при 25°C100 А
-
Напряжение насыщения К-Э4 В
-
Максимальная мощность670 Вт
-
Тип входастандартный
-
ПримечаниеInsulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel