![Фотография RN1106FS[TPL3] Toshiba временно отсутствует](/img/noimage.png "Запросите описание для RN1106FS[TPL3] Toshiba, чтобы мы оперативно добавили информацию о товаре и фотографию")
RN1106FS[TPL3] / Toshiba
Добавить к сравнению
Корпус —, Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 50 мВт, Ток коллектора 50 мА, Коэффициент усиления по току, min 120 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, NPN, Silicon
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 32 шт | — |
145,30
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
Корпус—
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность50 мВт
-
Ток коллектора50 мА
-
Коэффициент усиления по току, min120
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, NPN, Silicon