SSM3K123TU / Toshiba
Добавить к сравнению
Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 20 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 4.2 А, Сопротивление открытого канала (мин) 32 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 32 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 32 мОм, Рассеиваемая мощность 800 мВт, Примечание Small Signal Field-Effect Transistor, 4.2A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 26 шт | — |
141,47
от 10 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток20 В
-
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса4.2 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)32 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min32 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max32 мОм
-
Рассеиваемая мощность800 мВт
-
ПримечаниеSmall Signal Field-Effect Transistor, 4.2A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET