TK100E08N1 / Toshiba
Добавить к сравнению
Корпус —, Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 80 В, Ток стока номинальный при 25°C 100 А, Сопротивление открытого канала (мин) 3.2 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 3.2 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 3.2 мОм, Рассеиваемая мощность 255 Вт, Примечание Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 80V, 0.0032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 3454 шт | — |
268,45
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
Корпус—
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток80 В
-
Ток стока номинальный при 25°C100 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)3.2 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min3.2 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max3.2 мОм
-
Рассеиваемая мощность255 Вт
-
ПримечаниеPower Field-Effect Transistor, 100A I(D), 80V, 0.0032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB