TK10A50D / Toshiba
Добавить к сравнению
Тип упаковки-Bulk (россыпь); Полевой транзистор, N-канальный, 500В 10А 45Вт
Корпус —, Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 500 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 10 А, Сопротивление открытого канала (мин) 720 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 720 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 720 мОм, Рассеиваемая мощность 45 Вт, Примечание Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 500V, 0.72ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 321 шт | — |
34,32
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
Корпус—
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток500 В
-
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса10 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)720 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min720 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max720 мОм
-
Рассеиваемая мощность45 Вт
-
ПримечаниеPower Field-Effect Transistor, 10A I(D), 500V, 0.72ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET