TK10A60D / Toshiba
Добавить к сравнению
Корпус —, Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 600 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 10 А, Сопротивление открытого канала (мин) 750 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 750 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 750 мОм, Рассеиваемая мощность 45 Вт, Примечание Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 600V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 240 шт | — |
62,01
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
Корпус—
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток600 В
-
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса10 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)750 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min750 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max750 мОм
-
Рассеиваемая мощность45 Вт
-
ПримечаниеPower Field-Effect Transistor, 10A I(D), 600V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET