TK13A65U / Toshiba
Добавить к сравнению
Корпус —, Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 650 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 13 А, Сопротивление открытого канала (мин) 380 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 380 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 380 мОм, Рассеиваемая мощность 40 Вт, Примечание Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 650V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 201 шт | — |
230,21
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
Корпус—
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток650 В
-
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса13 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)380 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min380 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max380 мОм
-
Рассеиваемая мощность40 Вт
-
ПримечаниеPower Field-Effect Transistor, 13A I(D), 650V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET