TK16A60W5.S4VXM / Toshiba
Добавить к сравнению
Корпус —, Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 600 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 15.8 А, Сопротивление открытого канала (мин) 190 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 190 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 190 мОм, Рассеиваемая мощность 40 Вт, Примечание Power Field-Effect Transistor, 15.8A I(D), 600V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 1034 шт | — |
372,14
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
Корпус—
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток600 В
-
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса15.8 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)190 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min190 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max190 мОм
-
Рассеиваемая мощность40 Вт
-
ПримечаниеPower Field-Effect Transistor, 15.8A I(D), 600V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB