![Фотография TK20J50D[F] Toshiba временно отсутствует](/img/noimage.png "Запросите описание для TK20J50D[F] Toshiba, чтобы мы оперативно добавили информацию о товаре и фотографию")
TK20J50D[F] / Toshiba
Добавить к сравнению
Корпус 216C1B , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 500 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 20 А, Сопротивление открытого канала (мин) 270 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 270 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 270 мОм, Рассеиваемая мощность 280 Вт, Примечание Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 500V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 4142 шт | — |
396,03
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
Корпус216C1B
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток500 В
-
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса20 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)270 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min270 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max270 мОм
-
Рассеиваемая мощность280 Вт
-
ПримечаниеPower Field-Effect Transistor, 20A I(D), 500V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET