TK20N60W / Toshiba
Добавить к сравнению
Корпус —, Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 600 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 20 А, Сопротивление открытого канала (мин) 155 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 155 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 155 мОм, Рассеиваемая мощность 165 Вт, Примечание Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 600V, 0.155ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 342 шт | — |
664,75
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
Корпус—
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток600 В
-
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса20 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)155 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min155 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max155 мОм
-
Рассеиваемая мощность165 Вт
-
ПримечаниеPower Field-Effect Transistor, 20A I(D), 600V, 0.155ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247