TK35E08N1 / Toshiba
Добавить к сравнению
Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 80 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 35 А, Сопротивление открытого канала (мин) 12.2 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 12.2 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 12.2 мОм, Рассеиваемая мощность 72 Вт, Примечание Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 80V, 0.0122ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 1162 шт | — |
205,11
от 250 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток80 В
-
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса35 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)12.2 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min12.2 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max12.2 мОм
-
Рассеиваемая мощность72 Вт
-
ПримечаниеPower Field-Effect Transistor, 35A I(D), 80V, 0.0122ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB