_500.jpeg "TK7A90E.S4X")
TK7A90E.S4X / Toshiba
Транзисторы D-MOS (с двойной диффузией) восьмого поколения, семейства Toshiba π-MOSVIII MOSFET, в которых сочетаются высокая степень интеграции и оптимизированная конструкция. Они имеют меньший заряд и емкость затвора по сравнению с предыдущими поколениями, сохраняя при этом низкое сопротивление канала в открытом состоянии RDS(ON). Доступны модели с напряжением сток-исток 800 и 900 В при токах коммутации до 10 А.
Особенности:
- Максимальное сопротивление сток-исток в открытом состоянии (RDS(ON)): 0.7…5.9 Ом (при VGS 10 В);
- Напряжение исток-сток (VDSS): 800, 900 В;
- Напряжение затвор-исток (VGSS): ±30 В;
- Ток стока (ID ): 2…10 А;
- Рассеиваемая мощность (PD): 45…250 Вт;
- Входная емкость (CISS): 500…2000 пФ;
- Заряд затвора: 12…46 нКл;
- Корпуса: DPAK, TO-220SIS, TO-3P(N)
Корпус TO220FULLPAK3 , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 900 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 7 А, Сопротивление открытого канала (мин) 2 Ом, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 10 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Максимальное напряжение затвора 30 В, Заряд затвора 32 нКл, Рассеиваемая мощность 45 Вт, Ёмкость затвора 1 350 пФ
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 659 шт | — |
304,01
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
КорпусTO220FULLPAK3
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток900 В
-
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса7 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)2 Ом
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min10 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max10 В
-
Максимальное напряжение затвора30 В
-
Заряд затвора32 нКл
-
Рассеиваемая мощность45 Вт
-
Ёмкость затвора1 350 пФ