TK9J90E.S1E / Toshiba

Транзисторы D-MOS (с двойной диффузией) восьмого поколения, семейства Toshiba π-MOSVIII MOSFET, в которых сочетаются высокая степень интеграции и оптимизированная конструкция. Они имеют меньший заряд и емкость затвора по сравнению с предыдущими поколениями, сохраняя при этом низкое сопротивление канала в открытом состоянии R_DS(ON). Доступны модели с напряжением сток-исток 800 и 900 В при токах коммутации до 10 А.

Особенности:

• Максимальное сопротивление сток-исток в открытом состоянии (R_DS(ON)): 0.7…5.9 Ом (при V_GS 10 В);
• Напряжение исток-сток (V_DSS): 800, 900 В;
• Напряжение затвор-исток (V_GSS): ±30 В;
• Ток стока (I_D ): 2…10 А;
• Рассеиваемая мощность (P_D): 45…250 Вт;
• Входная емкость (C_ISS): 500…2000 пФ;
• Заряд затвора: 12…46 нКл;
• Корпуса: DPAK, TO-220SIS, TO-3P(N)