TSC966CW RPG / TSC
Добавить к сравнению
Корпус SOT223 , Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 1 Вт, Напряжение КЭ максимальное 400 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 500 мВ, Ток коллектора 300 мА, Коэффициент усиления по току, min 100 , Коэффициент усиления по току, max 300 , Примечание NPN Silicon Planar Medium Power Transistor
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 27869 шт | — |
120,48
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
КорпусSOT223
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность1 Вт
-
Напряжение КЭ максимальное400 В
-
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии500 мВ
-
Ток коллектора300 мА
-
Коэффициент усиления по току, min100
-
Коэффициент усиления по току, max300
-
ПримечаниеNPN Silicon Planar Medium Power Transistor