_2_500.jpeg "UJ4C075018K3S")
_500.jpeg)
UJ4C075018K3S / USCI
Не поставляется
Добавить к сравнению
Серия транзисторов 4 поколения, основанная на уникальной конфигурации с применением SiC FET, рассчитана на напряжение исток-сток 750 В и доступна в вариантах сопротивления открытого канала от 6 мОм до 60 мОм. Благодаря комбинации кремниевого низковольтного MOSFET во входном каскаде и высоковольтного SiC JFET на выходе в каскодном включении удалось получить транзистор со стандартными управляющими напряжениями и встроенным антипараллельным диодом.
Особенности:
- Полярность: N;
- Технология: SiC JFET;
- Напряжение исток-сток VDS: 750 В, макс;
- Ток стока ID при 25 °С: 81 A;
- Сопротивление сток-исток RDS(on): 18 мОм;
- Пороговое напряжение VG(th): 4.8 В;
- Напряжение затвор-исток VGS: ±20 В;
- Заряд затвора QG: 37.8 нКл;
- Рассеиваемая мощность Ptot: 385 Вт;
- Малое падение на встроенном антипараллельном диоде VFSD: 1.14 В;
- Заряд обратного восстановления диода Qrr: 102 нКл;
- Время обратного восстановления диода trr: 25 нс;
- Защита от ESD: HBM class 2;
- Корпус: TO247-3L;
- Рабочая температура TJ: -55...175 °C;
- Автомобильная квалификация AEC-Q101
Корпус —, Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 750 В, Ток стока номинальный при 25°C 81 А, Сопротивление открытого канала (мин) 18 мОм
Характеристики
-
Корпус—
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток750 В
-
Ток стока номинальный при 25°C81 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)18 мОм