2SB1116AG-G-T92-B / Unisonic
Добавить к сравнению
Тип проводимости и конфигурация PNP , Рассеиваемая мощность 750 мВт, Напряжение КЭ максимальное 60 В, Ток коллектора 1 А, Граничная рабочая частота 120 МГц, Коэффициент усиления по току, min 200 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 28780 шт | — |
2,85
от 10000 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
Тип проводимости и конфигурацияPNP
-
Рассеиваемая мощность750 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное60 В
-
Ток коллектора1 А
-
Граничная рабочая частота120 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min200
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92