8050SG-D-AE3-R / Unisonic
Добавить к сравнению
Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 350 мВт, Напряжение КЭ максимальное 20 В, Ток коллектора 700 мА, Граничная рабочая частота 100 МГц, Коэффициент усиления по току, min 120 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 59447 шт | — |
7,86
от 9000 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность350 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное20 В
-
Ток коллектора700 мА
-
Граничная рабочая частота100 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min120
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon