MMBT5551G-B-AE3-R / Unisonic
Добавить к сравнению
Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 350 мВт, Напряжение КЭ максимальное 160 В, Ток коллектора 600 мА, Граничная рабочая частота 300 МГц, Коэффициент усиления по току, min 150 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 10614 шт | — |
1,95
от 6000 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность350 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное160 В
-
Ток коллектора600 мА
-
Граничная рабочая частота300 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min150
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon