IRF740SPBF / Vishay Intertechnology
Не поставляется
Добавить к сравнению
MOSFET, N, 400V, 10A, D2-PAK
Transistor Type MOSFET
Transistor Polarity N
Voltage, Vds Typ 400V
Current, Id Cont 10A
Resistance, Rds On 0.55ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement 10V
Voltage, Vgs th Typ 4V
Case Style D2-PAK
Termination Type SMD
Alternate Case Style D2-PAK
Current, Idm Pulse 40A
External Depth 15.49mm
External Length / Height 4.69mm
Power Dissipation 125W
Power Dissipation, on 1 Sq. PCB 3.1W
Power, Pd 125W
SMD Marking IRF740S
Temperature, Current 25°C
Temperature, Full Power Rating 25°C
Thermal Resistance, Junction to Case A 1°C/W
Transistors, No. of 1
Voltage, Vds 400V
Voltage, Vds Max 400V
Voltage, Vgs th Max 4V
Width, External 10.54mm
Корпус TO263 , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 400 В, Ток стока номинальный при 25°C 40 А, Сопротивление открытого канала (мин) 550 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 550 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 550 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 10 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Максимальное напряжение затвора 20 В, Заряд затвора 63 нКл, Рассеиваемая мощность 125 Вт
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусTO263
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток400 В
-
Ток стока номинальный при 25°C40 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)550 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min550 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max550 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min10 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max10 В
-
Максимальное напряжение затвора20 В
-
Заряд затвора63 нКл
-
Рассеиваемая мощность125 Вт