2N7002E-T1-E3 / Vishay Intertechnology, Inc.
Не поставляется
Добавить к сравнению
N CHANNEL MOSFET, 60V, 240mA TO-236; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:240m
Корпус TO236 , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 60 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 240 мА, Сопротивление открытого канала (мин) 3 Ом, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 3 Ом, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 3 Ом, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 4.5 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Максимальное напряжение затвора 20 В, Заряд затвора 0.6 нКл, Рассеиваемая мощность 350 мВт, Примечание Small Signal Field-Effect Transistor, 0.24A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB , Ёмкость затвора 21 пФ
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусTO236
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток60 В
-
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса240 мА
-
Сопротивление открытого канала (мин)3 Ом
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min3 Ом
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max3 Ом
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min4.5 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max10 В
-
Максимальное напряжение затвора20 В
-
Заряд затвора0.6 нКл
-
Рассеиваемая мощность350 мВт
-
ПримечаниеSmall Signal Field-Effect Transistor, 0.24A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB
-
Ёмкость затвора21 пФ