SI1304BDL-T1-GE3 / Vishay Intertechnology, Inc.
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус —, Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 900 мА, Сопротивление открытого канала (мин) 270 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 270 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 270 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 4.5 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 4.5 В, Заряд затвора 2.7 нКл, Рассеиваемая мощность 340 мВт, Примечание Small Signal Field-Effect Transistor, 0.85A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET , Ёмкость затвора 100 пФ
Характеристики
-
Корпус—
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток30 В
-
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса900 мА
-
Сопротивление открытого канала (мин)270 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min270 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max270 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min4.5 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max4.5 В
-
Заряд затвора2.7 нКл
-
Рассеиваемая мощность340 мВт
-
ПримечаниеSmall Signal Field-Effect Transistor, 0.85A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
-
Ёмкость затвора100 пФ