SI2304BDS-T1-E3 / Vishay Intertechnology, Inc.
Не поставляется
Добавить к сравнению
MOSFET Vishay SI2304BDS-T1-E3 1 N-Kanal 750 mW SOT-23-3
Корпус TO236 , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C 2.6 А, Сопротивление открытого канала (мин) 70 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 70 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 70 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 4.5 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Максимальное напряжение затвора 20 В, Заряд затвора 4 нКл, Рассеиваемая мощность 750 мВт, Примечание Small Signal Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB , Ёмкость затвора 225 пФ
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусTO236
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток30 В
-
Ток стока номинальный при 25°C2.6 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)70 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min70 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max70 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min4.5 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max10 В
-
Максимальное напряжение затвора20 В
-
Заряд затвора4 нКл
-
Рассеиваемая мощность750 мВт
-
ПримечаниеSmall Signal Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB
-
Ёмкость затвора225 пФ