SI2306DS-T1 / Vishay Intertechnology, Inc.
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус —, Конфигурация и полярность N , Ток стока номинальный при 25°C 3.5 А, Рассеиваемая мощность 1.25 Вт, Примечание Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Характеристики
-
Корпус—
-
Конфигурация и полярностьN
-
Ток стока номинальный при 25°C3.5 А
-
Рассеиваемая мощность1.25 Вт
-
ПримечаниеPower Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET