SI2308BDS-T1-E3 / Vishay Intertechnology, Inc.
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус SOT23 , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 60 В, Ток стока номинальный при 25°C 2.3 А, Сопротивление открытого канала (мин) 156 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 156 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 156 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 4.5 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Максимальное напряжение затвора 20 В, Заряд затвора 6.8 нКл, Рассеиваемая мощность 1.09 Вт, Примечание Small Signal Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236 , Ёмкость затвора 190 пФ
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусSOT23
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток60 В
-
Ток стока номинальный при 25°C2.3 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)156 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min156 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max156 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min4.5 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max10 В
-
Максимальное напряжение затвора20 В
-
Заряд затвора6.8 нКл
-
Рассеиваемая мощность1.09 Вт
-
ПримечаниеSmall Signal Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236
-
Ёмкость затвора190 пФ