Корпус —, Тип проводимости и конфигурация P-CHANNEL , Рассеиваемая мощность 770 мВт, Примечание Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 12V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236
Данный товар получен от клиентов, которые купили его для целей производства, но он оказался не востребован. Возможно отсутствие ГТД и страны происхождения.