SI3458BDV-T1-E3 / Vishay Intertechnology, Inc.
Не поставляется
Добавить к сравнению
MOSFET,N CH,60V,4.1A,TSOP-6
Корпус TSOP6 , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 60 В, Ток стока номинальный при 25°C 4.1 А, Сопротивление открытого канала (мин) 100 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 100 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 100 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 4.5 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Максимальное напряжение затвора 20 В, Заряд затвора 11 нКл, Рассеиваемая мощность 2 Вт, Примечание Small Signal Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET , Ёмкость затвора 350 пФ
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусTSOP6
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток60 В
-
Ток стока номинальный при 25°C4.1 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)100 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min100 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max100 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min4.5 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max10 В
-
Максимальное напряжение затвора20 В
-
Заряд затвора11 нКл
-
Рассеиваемая мощность2 Вт
-
ПримечаниеSmall Signal Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
-
Ёмкость затвора350 пФ