SI4425BDY-T1-E3 / Vishay Intertechnology, Inc.
Не поставляется
Добавить к сравнению
MOSFET, P REEL 2500; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P; Voltage, Vds Typ:-30V; Current, Id Cont:8.8A; Resistance, Rds On:0.012ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:4.5V; Voltage, Vgs th Typ:-3V; Case Style:SOIC; Termination Type:SMD; Charge, Gate P Channel:64nC; Current, Idm Pulse:50A; Pins, No. of:8; Power, Pd:1.5W; Quantity, Reel:2500; Resistance, Rds on @ Vgs = 10V:0.012ohm; Resistance, Rds on @ Vgs = 4.5V:0.019ohm; Transistors, No. of:1; Voltage, Vds Max:30V; Width, Tape:12mm
Корпус SOIC8 , Конфигурация и полярность P , Максимальное напряжение сток-исток -30 В, Ток стока номинальный при 25°C 8.8 А, Сопротивление открытого канала (мин) 12 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 4.5 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Максимальное напряжение затвора 20 В, Заряд затвора 100 нКл, Рассеиваемая мощность 1.5 Вт
Характеристики
-
КорпусSOIC8
-
Конфигурация и полярностьP
-
Максимальное напряжение сток-исток-30 В
-
Ток стока номинальный при 25°C8.8 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)12 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min4.5 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max10 В
-
Максимальное напряжение затвора20 В
-
Заряд затвора100 нКл
-
Рассеиваемая мощность1.5 Вт