SI4965DY-T1 / Vishay Intertechnology, Inc.
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус —, Тип проводимости и конфигурация P-CHANNEL , Рассеиваемая мощность 2 Вт, Примечание Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 8V, 0.021ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Характеристики
-
Корпус—
-
Тип проводимости и конфигурацияP-CHANNEL
-
Рассеиваемая мощность2 Вт
-
ПримечаниеPower Field-Effect Transistor, 8A I(D), 8V, 0.021ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET