SI7430DP-T1-GE3 / Vishay Intertechnology, Inc.
Не поставляется
Добавить к сравнению
MOSFET,N CH,DIODE,150V,26A,SO-8 PPAK
Корпус POWERPAKSO8 , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 150 В, Ток стока номинальный при 25°C 26 А, Сопротивление открытого канала (мин) 45 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 47 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 47 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 8 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Максимальное напряжение затвора 20 В, Заряд затвора 43 нКл, Рассеиваемая мощность 5.2 Вт, Примечание Power Field-Effect Transistor, 7.2A I(D), 150V, 0.047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET , Ёмкость затвора 1 735 пФ
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусPOWERPAKSO8
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток150 В
-
Ток стока номинальный при 25°C26 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)45 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min47 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max47 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min8 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max10 В
-
Максимальное напряжение затвора20 В
-
Заряд затвора43 нКл
-
Рассеиваемая мощность5.2 Вт
-
ПримечаниеPower Field-Effect Transistor, 7.2A I(D), 150V, 0.047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
-
Ёмкость затвора1 735 пФ