SI7540DP-T1-GE3 / Vishay Intertechnology, Inc.
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус POWERPAKSO8 , Тип проводимости и конфигурация N-CHANNEL AND P-CHANNEL , Рассеиваемая мощность 3.5 Вт, Примечание Power Field-Effect Transistor, 7.6A I(D), 12V, 0.017ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Характеристики
-
КорпусPOWERPAKSO8
-
Тип проводимости и конфигурацияN-CHANNEL AND P-CHANNEL
-
Рассеиваемая мощность3.5 Вт
-
ПримечаниеPower Field-Effect Transistor, 7.6A I(D), 12V, 0.017ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET