SI7943DP-T1 / Vishay Intertechnology, Inc.
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус —, Тип проводимости и конфигурация P-CHANNEL , Рассеиваемая мощность 3.5 Вт, Примечание Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 30V, 0.025ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Характеристики
-
Корпус—
-
Тип проводимости и конфигурацияP-CHANNEL
-
Рассеиваемая мощность3.5 Вт
-
ПримечаниеPower Field-Effect Transistor, 6A I(D), 30V, 0.025ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET