SI9933CDY-T1-E3 / Vishay Intertechnology, Inc.
Не поставляется
Добавить к сравнению
MOSFET, PP CH, 20V, 8SOIC
Корпус SOIC8 , Тип проводимости и конфигурация P-CHANNEL , Рассеиваемая мощность 3.1 Вт, Примечание Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), 20V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусSOIC8
-
Тип проводимости и конфигурацияP-CHANNEL
-
Рассеиваемая мощность3.1 Вт
-
ПримечаниеSmall Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), 20V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET