SIZ902DT-T1-GE3 / Vishay Intertechnology, Inc.
Не поставляется
Добавить к сравнению
Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C 16 А, Сопротивление открытого канала (мин) 12 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 12 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 12 мОм, Рассеиваемая мощность 66 Вт, Примечание Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 30V, 0.012ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Характеристики
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток30 В
-
Ток стока номинальный при 25°C16 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)12 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min12 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max12 мОм
-
Рассеиваемая мощность66 Вт
-
ПримечаниеPower Field-Effect Transistor, 16A I(D), 30V, 0.012ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET