SIZ910DT-T1-GE3 / Vishay Intertechnology, Inc.
Не поставляется
Добавить к сравнению
Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C 40 А, Сопротивление открытого канала (мин) 7.5 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 7.5 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 7.5 мОм, Рассеиваемая мощность 100 Вт, Примечание Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 30V, 0.0075ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Характеристики
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток30 В
-
Ток стока номинальный при 25°C40 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)7.5 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min7.5 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max7.5 мОм
-
Рассеиваемая мощность100 Вт
-
ПримечаниеPower Field-Effect Transistor, 40A I(D), 30V, 0.0075ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET