Корпус —, Схема включения диодов одиночный , Максимальное обратное напряжение диода 1.2 кВ, Прямой ток диода (средний) 5 А, Прямое падение напряжения 1.8 В, Особенности SiC, Шоттки , Обратный ток диода 150 мкА, Емкость перехода 390 пФ, Рабочая температура -55 °C, Рабочая температура 175 °C, Монтаж на плату, SMT
Данный товар получен от клиентов, которые купили его для целей производства, но он оказался не востребован. Возможно отсутствие ГТД и страны происхождения.