DDTC113ZCA / Yangjie
Yangjie
Добавить к сравнению
Корпус SOT23 , Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 200 мВт, Напряжение КЭ максимальное 50 В, Ток коллектора 500 мА, Граничная рабочая частота 200 МГц, Коэффициент усиления по току, min 56 , Встроенное сопротивление в базовой цепи 1 кОм, Встроенное сопротивление в цепи БЭ 10 кОм, Примечание Small Signal Bipolar Transistor
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 3450 шт | — |
6,33
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
КорпусSOT23
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность200 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное50 В
-
Ток коллектора500 мА
-
Граничная рабочая частота200 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min56
-
Встроенное сопротивление в базовой цепи1 кОм
-
Встроенное сопротивление в цепи БЭ10 кОм
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor
