DTC114TE / Yangjie
Yangjie
Добавить к сравнению
Корпус SOT523 , Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 150 мВт, Напряжение КЭ максимальное 50 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 300 мВ, Ток коллектора 100 мА, Граничная рабочая частота 250 МГц, Коэффициент усиления по току, min 100 , Коэффициент усиления по току, max 600 , Встроенное сопротивление в базовой цепи 10 кОм, Примечание Small Signal Bipolar Transistor
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 240000 шт | — |
1,57
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
КорпусSOT523
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность150 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное50 В
-
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии300 мВ
-
Ток коллектора100 мА
-
Граничная рабочая частота250 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min100
-
Коэффициент усиления по току, max600
-
Встроенное сопротивление в базовой цепи10 кОм
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor