ESD12VLA / Yangjie
Yangjie
Добавить к сравнению
Корпус DFN1006D2 , Максимальное импульсное напряжение 26 В, Максимальный импульсный ток 25 А, Рабочее напряжение 12 В, Количество линий ограничения 1 , Напряжение ограничения (диапазон), min 13 В, Напряжение ограничения (диапазон), max 17 В, Примечание Trans Voltage Suppressor Diode, 650W, 12V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon , Ток утечки при рабочем напряжении 0.1 мкА, Пиковая рассеиваемая мощность 650 Вт, Тип супрессора по свойствам однонаправленный , Напряжение ограничения (номинальное) 14 В, Паразитная емкость перехода 90 пФ
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 100000 шт | — |
1,70
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
КорпусDFN1006D2
-
Максимальное импульсное напряжение26 В
-
Максимальный импульсный ток25 А
-
Рабочее напряжение12 В
-
Количество линий ограничения1
-
Напряжение ограничения (диапазон), min13 В
-
Напряжение ограничения (диапазон), max17 В
-
ПримечаниеTrans Voltage Suppressor Diode, 650W, 12V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon
-
Ток утечки при рабочем напряжении0.1 мкА
-
Пиковая рассеиваемая мощность650 Вт
-
Тип супрессора по свойствамоднонаправленный
-
Напряжение ограничения (номинальное)14 В
-
Паразитная емкость перехода90 пФ