ESDLC3V3LA / Yangjie
Yangjie
Добавить к сравнению
Корпус DFN1006D2 , Примечание Trans Voltage Suppressor Diode, 85W, 3.3V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon , Ток утечки при рабочем напряжении 1 мкА, Пиковая рассеиваемая мощность 85 Вт, Тип супрессора по свойствам двунаправленный , Напряжение ограничения (номинальное) 4.1 В, Паразитная емкость перехода 13 пФ, Максимальное импульсное напряжение 10 В, Максимальный импульсный ток 10 А, Рабочее напряжение 3.3 В, Количество линий ограничения 1 , Напряжение ограничения (диапазон), min 3.6 В, Напряжение ограничения (диапазон), max 5 В
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| нет в наличии | — |
0,00
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
КорпусDFN1006D2
-
ПримечаниеTrans Voltage Suppressor Diode, 85W, 3.3V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon
-
Ток утечки при рабочем напряжении1 мкА
-
Пиковая рассеиваемая мощность85 Вт
-
Тип супрессора по свойствамдвунаправленный
-
Напряжение ограничения (номинальное)4.1 В
-
Паразитная емкость перехода13 пФ
-
Максимальное импульсное напряжение10 В
-
Максимальный импульсный ток10 А
-
Рабочее напряжение3.3 В
-
Количество линий ограничения1
-
Напряжение ограничения (диапазон), min3.6 В
-
Напряжение ограничения (диапазон), max5 В